Indium Phosphide (InP)와 구리(Copper) 사이의 열전달계수 (heat transfer coefficient)는 두 물질 사이의 인터페이스에서 열이 어떻게 전달되는지를 나타내며, 이는 접촉 열저항 (thermal contact resistance)와 밀접한 관련이 있습니다.
구체적인 값을 결정하기 위해서는 두 물질 사이의 접촉 상태 (예: 표면 평탄도, 표면 처리, 압력 등)와 환경 조건을 고려해야 합니다. 그러나 일반적으로 사용되는 열전달계수의 범위는 다음과 같습니다:
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접촉 상태:
- 좋은 접촉: 매우 평탄하고 청결한 표면, 높은 압력
- 평균 접촉: 일반적인 산업용 접촉 상태
- 나쁜 접촉: 거친 표면, 낮은 압력
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열전달계수 범위:
- 좋은 접촉: 5000 ~ 20000 W/m²·K
- 평균 접촉: 1000 ~ 5000 W/m²·K
- 나쁜 접촉: 100 ~ 1000 W/m²·K
2. InGaAsP SRV and Diffusion Coefficient
https://iopscience.iop.org/article/10.1143/JJAP.19.109/pdf
Surface recombination velocity S2 and diffusion coefficient D2 of the minority carrier in p-InxGa1-xAsyP1-y (0.65<x<0.74, 0.61<y<0.78) on InP substrate were measured by two independent experiments;
a laser-scan experiment on the beveled surface of the sample and a response speed experiment of the photodiode.
The two independent experiments were analyzed simultaneously to obtain D2 and S2.
The obtained S2 is 3-5×104 cm/s which is about one order of magnitude greater than that on n-InP and about two orders of magnitude smaller than that on GaAs.
The diffusion coefficient of the minority carrier in the p-InGaAsP layer D2 is about the same as that of the majority carrier. The obtained D2 is 2-3 cm2/s.
3.
